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主编的话本讲座所面向的是正准备学习电子电路的读者，或是曾经学过但还想从头系统地整理一下这方面知识的读者。也可用于大学、高等专科相关专业师生的教学参考和公司新员工的教育培训。自初版发行以来，已过了十多年时间，始终深受各方面读者的厚爱。随着世界上科学技术的进步，此次决定修订增补。对初版中叙述不充分的内容予以补充，对冗长部分予以割爱，从而完成了全面修订和大幅度增补。
在本系列讲座修订过程中，我们仍然忠实沿袭以下4点初版的编辑方针
（1）只要具备高中毕业的数学知识，再综合本书每章各节所介绍的基础知识，就能读懂全文。
（2）用简洁的粗线条组成技术骨架，着重于基本原理的阐述，对其最新应用方面则不作重点叙述。
（3）文章叙述简洁平易，尽力避免冗长。
（4）灵活使用脚注、例题、插图、附录等，使全书主干清晰，避免分散主题。
本书的作者砂泽学先生，他就职于电电公社（现NTT）研究所时，就从事集成电路研究工作，并致力于公司的职工教育培训。他积累多年的经验，用丰富的例题结合实际展开设计方法，并进行精辟的总结。特别在以硅晶体管为主流的今天，研究适合硅晶体管的偏置法，以十分准确、简单的近似式表示增益、输入阻抗等，这些新思路均已在本书初版介绍过，使人受益匪浅。
通过这次改版，本书内容更加充实，错误之处也得到匡正。特别是将集电极电流采用互导表达的习惯，使之在学习FET（场效应晶体管）等效电路时，读者也无需改变思路，作为主编，我们十
分高兴。也希望能对读者有所裨益。最后谨对为本系列讲座改订出版而尽力的欧姆社（OHMSHA）出版部各位深表谢意。
前言
本书以准备自己动手，初次制作晶体管放大器的读者为对象，介绍简明的设计理论和实际的设计方法。
对于想制作晶体管放大器的人来说，最关心的是∶为了掌握晶体管的工作原理，是不是必须首先学习高深的半导体理论?其实，对于并非设计晶体管本身，而是设计运用晶体管的放大器为目的的人来说，不一定需要掌握严密的半导体理论。当然，诸如用欧姆定律表示流过电阻的电流与电阻两端电压的关系这样的基本知识以及晶体管的特性等，还是应该掌握的。
本书出于这种考虑，在严谨的晶体管理论的基础上，将晶体管特性的本质，以最简单的公式进行表示，运用这些特性表达式，便可很容易的设计晶体管放大器。为此，书中举出了大量的基本放大器的例题，仔细分析、掌握这些例题的解题思路，便可深入理解晶体管放大器的设计思路和设计方法。
由于本书是作为设计晶体管放大器的入门书写的，所以，对需要晶体管特性方面较高深知识的中频放大器和高频放大器等未纳入其中。这些内容可在充分掌握本书内容之后，进一步学习。我确信本书所述的各项内容，将为此打下坚实的基础。
本书采用了深入浅出的叙述方式，希望能使得尽可能多的读者理解其中的内容，至于是否能达到预期的效果，则有待读者评判。本书中若有不足及不当之处请读者批评指正。
最后，尽管本书著者曾在研究所进行过十余年的电路研究工作，仍感学识有限。可是，主编者名古屋大学雨宫好文教授、东洋大学小柴典居教授以及出版者欧姆社（OHMSHA）的各位，却将执笔本书的机会给予了我并不吝赐教，多有忠告，在此谨表谢意。
著 者
再版前言
本书初版问世后，已经过了十多年时间。此间，技术上发生了划时代的变化，电子技术、数字技术取得了引人注目的进步。与此同时，很多读者对本书以晶体管放大器模拟电路的基本内容为对象，施以简明而实际的叙述给予了好评。所以本书在十年后的今天，得以再版。
随着集成电路技术的飞速发展和应用范围的不断扩大，半导体产业将以MOS集成电路，MOS超大规模集成电路产品为主。从这种意义上讲，这次再版有必要补充叙述有关MOSFET（场效应晶体管）的内容。为此，也应对集成电路的基础知识，给以一定程度的介绍，但本书的主旨是学习放大器，加入这些内容，显得多余，最后决定割爱。请读者参考已经出版的优秀的教科书，掌握集成电路方面的知识。
基于以上的考虑，这次的改订，以补充初版的不足为目的，加入了用FET（场效应晶体管）构成放大器的有关内容，而全书的基本结构没有变化。
本书若对学习电子学的广大读者能有微薄的帮助，将十分欣慰。
著 者
